電子束蒸發(fā)（Electron Beam Evaporation）是物理氣相沉積的一種形式，其中待蒸發(fā)材料被來(lái)自帶電鎢絲的電子束轟擊，當(dāng)電子束撞擊目標(biāo)材料時(shí)，它的能量轉(zhuǎn)化為熱能，使目標(biāo)材料達(dá)到蒸發(fā)的狀態(tài)，并將其轉(zhuǎn)化為氣態(tài)，在高真空室中，這些蒸發(fā)的原子或分子隨后沉積在基板上形成薄膜。

電子束蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備常見蒸鍍蒸鍍AR / AF涂層，硬質(zhì)膜、裝飾膜、ITO膜 、帶通濾光片、HR膜等，具有效率高，它還具有用于航空航天工業(yè)的耐磨和熱障涂層、切削和工具工業(yè)的硬涂層的潛在工業(yè)應(yīng)用。生產(chǎn)能力更強(qiáng)，生產(chǎn)成本更低等優(yōu)勢(shì)，鍍制AR膜（基材玻璃透過(guò)率＞91.5%），420-680nm波段，單面平均透過(guò)率＞95%，反射率小于0.5（平均值）% 。雙面平均透過(guò)率＞98%，反射率小于0.5（平均值）%。市面應(yīng)用廣泛。

電子束蒸發(fā)技術(shù)原理

依靠電子束轟擊蒸發(fā)的真空蒸鍍技術(shù)，根據(jù)電子束蒸發(fā)源的形式不同，又可分為環(huán)形槍，直槍，e型槍和空心陰極電子槍等幾種。

環(huán)形槍：

是由環(huán)形的陰極來(lái)發(fā)射電子束，經(jīng)聚焦和偏轉(zhuǎn)后打在坩鍋內(nèi)使金屬材料蒸發(fā)。它的結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，但是功率和效率都不高，基本上只是一種實(shí)驗(yàn)室用的設(shè)備，目前在生產(chǎn)型的裝置中已經(jīng)不再使用。 

直槍：

一種軸對(duì)稱的直線加速槍，電子從燈絲陰極發(fā)射，聚成細(xì)束，經(jīng)陽(yáng)極加速后打在坩鍋中使鍍膜材料融化和蒸發(fā)。

E型槍：

即270攝氏度偏轉(zhuǎn)的電子槍克服了直槍的缺點(diǎn)，是目前用的較多的電子束蒸發(fā)源之一。

空心陰極電子槍：

利用低電壓，大電流的空心陰極放電產(chǎn)生的等離子電子束作為加熱源?？招年帢O電子槍用空心的鉭管作為陰極，坩堝作為陽(yáng)極，鉭管附近裝有輔助陽(yáng)極。利用空心陰極電子槍蒸鍍時(shí)，產(chǎn)生的蒸發(fā)離子能量高，離化率也高，因此，成膜質(zhì)量好。 

電子束蒸發(fā)優(yōu)點(diǎn)：

（1）電子束轟擊熱源的束流密度高，能獲得遠(yuǎn)比電阻加熱源更大的能量密度?？梢詫⒏哌_(dá)3000度以上的材料蒸發(fā)，并且能有較高的蒸發(fā)速度；

（2）由于被蒸發(fā)的材料是置于水冷坩鍋內(nèi)，因而可避免容器材料的蒸發(fā)，以及容器材料與蒸鍍材料之間的反應(yīng)，這對(duì)提高鍍膜的純度極為重要；

（3）熱量可直接加到蒸鍍材料的表面，因而熱效率高，熱傳導(dǎo)和熱輻射的損失少。 

設(shè)備推薦

海威光學(xué)鍍膜機(jī)